随着处理器和ASIC需要增加大量内存的程序和数据存储DDR2/DDR3/DDR4继续扩散，内存供电继续日益重要的一个领域。DDR内存的实现需要两个主要耗材 - 核心电源（VDDQ）和存储器终端电源（VTT）与源/汇能力。使用最普遍的解决方案为VTT终端电源低压降稳压器（LDO）。一个LDO提供了一个占地面积小，噪音低，成本低，但效率低下，相关的热设计问题往往造成高密度热敏感的应用。其他传统的设计方案采用了离散源出/吸入DC-DC开关稳压器解决方案具有更好的效率，但在更大的PCB占位面积和更高的解决方案的成本费用。

EV1320是一种理想的源出/吸入DDR终端转换器提供优异的性能，低成本和微小​​的解决方案足迹。EV1320的解决方案可提供近2倍的效率等于或低于常用的VTT LDO的成本。VTT转换器接受的0.95V至1.8V的输入电压。多EV1320设备可以平行放置，以支持更大的DDR内存容量（高负荷的要求）。EV1320是一个专用的VTT转换器解决方案，符合JEDEC规范，尤其是跟踪精度和AC + DC的要求用于支持DDR2/DDR3/QDR和低功率DDR3/DDR4 VTT应用。

产品亮点 超高效率 - 近2倍的改善可能 最小的足迹和薄型 高可靠性 简单的布局，无需电感，便于设计

特点

• 源和吸收高达2A
• DDR4设备供电DDR2/3/QDR和低功耗的解决方案符合JEDEC规范
• 直接操作VDDQ，低输入电压从0.95V到1.8V
• VTT输出精确跟踪½VDDQ电压
• 小40平方毫米的解决方案领域;与0.55毫米低调
• 没有所需的外部电感器
• 超高效率高达96％
• 8A VTT负载电流并联多达4个设备
• 使能引脚输出放电到支持S3（挂起到RAM）模式
• 可编程软启动时间。软关机
• 热过载，过流，短路和欠压保护
• 高可靠性; 4.1散客; 28,200年的平均无故障时间
• 完全符合RoHS和无铅兼容生产线

高效率

小占板面积解决方案/简单的布局

（参考表1A及2A选项）