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AP9965GYT-HF产品发布
发布时间:2013-2-23 11:21:55

 

N-沟道增强型功率MOSFET
 
 
VDS 40V
VGS ±16V
的导通电阻Rds(on)/最大欧(mΩ)VGS @ 10V 21
的Rds(on)/最大(MΩ)Vgs@4.5V的 28
的Rds(on)/最大(MΩ)Vgs@2.5V的  
的Rds(on)/最大(MΩ)Vgs@1.8V的  
QG(NC) 7.5
QGS(NC) 2
的Qgd(NC) 3.5
ID(A) 10
PD(W) 3.57
组态 单N
PMPAK 3X3

先进的功率MOSFET提供从APEC设计师与快速切换,坚固耐用的设备的设计,低导通电阻
和成本效益的最佳组合该PMPAK®3 x 3封装是专门为DC-DC转换器的应用程序
和较低的背面散热片留有1.0mm配置文件。



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