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H5TQ1G63DFR
发布时间:2013-3-8 15:11:21

 H5TQ1G63DFR

H5TQ1G63DFR-xxx系列1,073,741,824 - 位CMOS双数据传输速率III(DDR3)同步DRAM,非常适合主内存的应用程序需要大量的存储密度和高带宽。SK海力士1GB DDR3 SDRAM具有完全同步操作参考上升和下降的时钟边沿。虽然所有的地址和控制输入的上升沿锁存CK(下降沿的CK),数据,数据选通信号和写数据屏蔽输入的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线和8位预取,以达到非常高的带宽。

特点

  • DQ电源及电源:VDD和VDDQ = 1.5V + / - 0.075V
  • DQ的接地电源:VSSQ =接地
  • 全差分时钟输入(CK / CK)操作
  • 差分数据选通(DQS / DQS)
  • 在芯片DLL对齐DQ,DQS和/ DQS与CK过渡过渡
  • DM口罩写数据在两个数据选通信号的上升沿和下降沿
  • 所有的地址和控制输入,除了在时钟的上升沿锁存数据,数据选通信号和数据口罩
  • 支持可编程CAS延时6,7,8,9,10,11,12和13
  • 可编程添加剂延时0,CL-1和CL-2支持
  • 可编程CAS写延时(CWL)= 5,6,7,8,9和10
  • 可编程的突发长度4/8的nibblesequential和交织模式
  • 为数字消费应用的可编程PASR(部分阵列自刷新)
  • 支持可编程BL = 4(TCCD 2CLK)的数字消费应用
  • 可编程支持ZQ校准
  • BL开关飞
  • 8banks
  • 8K刷新cycles/64ms
  • JEDEC标准96ball FBGA(X16)
  • 驱动强度选择EMRS
  • 动态片上终端支持
  • 异步复位引脚支持
  • 自动自刷新支持
  • 写Levelization支持
  • 在模具的热传感器支持
  • 8位预取
  • 该产品符合RoHS指令。


  • 热销库存

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    NH29EE010-   MAX809TUR(   LT1014CN  
    LT912CM   QV108-02A   LT1620CS8  
  • 优势库存

    MMBT2907   MMBT3904 1   MMBT3906 2  
    MMBT3906TT   MMBT3946DW   MMBT5401 2  
    MMBT5551 G   ATMEGA8L-8   LL4148  
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