产品编号:RTC6601
特点 ◆GaAs PHEMT的过程 ◆低控制电压操作:0/3V ◆低插入损耗为0.48 dB,在2.45 GHz的 ◆高隔离度:26 dB,在2.45 GHz的 ◆优良的线性度性能 8L VQFN采用2mm x 2mm封装
描述 RTC6601是在0.1-3GHz的频率范围内的GaAs PHEMT SP3T天线开关操作。该开关可易于操作的控制电压之间的天线和Tx / Rx端口。低损耗,高隔离度,高线性度的特点使其非常适用于无线应用的WLAN,Bluetooth®和IEEE 802.11b / g的发射/接收功能。