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10A,1200V碳化硅 肖特基整流器的改进 高温性能
发布时间:2013-5-20 15:42:37

 财报显示,2013年3月12日美国纽约––中央半导体公布了csic10-1200,

10安培,1200伏特的碳化硅肖特基整流器的高频系统的设计能源效率和热性能的关键设计元素。包装在to-220-2(2铅)环氧模塑通孔的情况下,这个装置是理想的应用遇到的温度到175°C.此设备的应用包括;逆变电源,工业电机驱动器,开关电源,功率因数校正,和过流保护。提供的csic10-1200切换稳定在55°℃到175℃的温度范围,°保持低正向电压损失。碳化硅具有更高的反向的好处电压,较高的操作温度性能,提高热效率,和温度独立的开关性能,所有这些都有助于提高系统的效率。为csic10-1200起价6.80美元每100件装在50件套每个。样品可根据求。

中央半导体公司生产创新的分立半导体满足设计工程师们不断变化的挑战。



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