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IS61WV25616BLL-10BLI原装现货供应|ISSI品牌代理|价格|图片|PDF 发布时间:2013-6-14 11:24:26 说明
ISSI IS61WV25616Axx/Bxx IS64WV25616Bxx是高速的,组织为4,194,304位静态RAM由16位262,144字。这是捏造使用ISSI的高性能CMOS技术。这种高度可靠的工艺,再加上创新的电路设计技术,高性能和低功耗设备的产量。当CE为高(取消),设备假定待机模式,在该模式下的功耗可CMOS输入电平降低。易内存扩展提供使用芯片使能和输出使能输入,CE和OE。低电平写使能(WE)控制写入和读取内存。允许上一个字节的数据字节(UB)和下字节(LB)访问。该IS61WV25616Axx/Bxx IS64WV25616Bxx是在JEDEC标准44针TSOP II型和包装
48针Mini-BGA(6×8毫米)。
特点
HIGH SPEED(IS61/64WV25616ALL/BLL)
•高速存取时间:8,10,20纳秒
•低有源功率:85毫瓦(典型值)
•低待机功率:7兆瓦(典型)
CMOS待机
低功率(IS61/64WV25616ALS/BLS)
•高速存取时间:25,35,45纳秒
•低有源功率:35毫瓦(典型值)
•低待机功耗为0.6 mW(典型值)
CMOS待机
•单电源
- VDD1.65V到2.2V(IS61WV25616Axx)
- VDD2.4V至3.6V(IS61/64WV25616Bxx)
•全静态操作:无时钟或刷新需要
•三态输出
•数据控制字节和低字节
•工业和汽车温度支持
•无铅可用
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