电信和工业应用。

™技术，新PairFETsfeature超低RDS（on）和栅极电荷AlphaMOS工作在更高的开发开关频率 - 生产高效solutionsin一个紧凑DFN5x6封装。 PairFET的非对称配置使低侧MOSFET的大小增加为最低的导通，从而提高了性能的损失。结合的AlphaMOS低电压技术，有效的包配置的PairFET设备允许AON6970提供导通电阻低至2.3mΩ最大VGS= 4.5V偏低。“星光大道的新PairFET的MOSFET有助于简化电源设计，节省空间的高效率同步降压单通过提供优化的高侧和低侧MOSFET的组合在一个单一的多相位DC / DC转换紧凑的封装。在AOS分立产品线副总裁说：“亚尔钦Bulut的。的AON6970和AON6978设备，是100％的Rg和UIS测试，符合RoHS和无卤标准。