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AP01L60AT
发布时间:2013-8-3 10:40:50

 

AP01L60AT
  数据表
▼低栅极电荷
▼快速开关特性
▼简单的驱动要求
 
 
VDS 600V
VGS ±30V
/最大的Rds(on)(MΩ)VGS @ 10V 12000
RDS(上)/最大值(MΩ)Vgs@4.5V  
RDS(上)/最大值(MΩ)Vgs@2.5V  
RDS(上)/最大值(MΩ)Vgs@1.8V  
QG(NC) 6
QGS(NC) 1
的Qgd(NC) 2.5
ID(A) 0.16
PD(W) 0.83
组态 单N
TO-92

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术,以实现尽可能低的导通电阻,非常高效,成本效益的设备。
TO-92封装,广泛用于商业,工业应用。



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